При статических воздействиях с давлениями до 100 МПа получены линейные тарировочные зависимости для резисторов дистрибьюторов Xicon, корпорации SEI Elektronics, для отечественных резисторов марки ТВО, а также коммерческих резисторов Allen-Bradley, принятых за эталон. При динамических воздействиях до давлений 0,5 ГПа тарировочная зависимость для резисторов Xicon с номинальным сопротивлением 470 Ом и мощностью рассеяния 0,25 Вт практически совпадает с характеристикой датчика корпорации Allen-Bradley. Показана возможность использования для резисторов Xicon тарировочной зависимости углеродистого датчика Allen-Bradley до давлений 5…7 ГПа. Приведены оригинальные осциллограммы, полученные при течениях различной симметрии в гомогенных и структурно неоднородных средах, включая взрывчатые, показывающие возможности использования коммерческих резисторов Xicon вместо известных датчиков Allen-Bradley.