Другие журналы

научное издание МГТУ им. Н.Э. Баумана

НАУКА и ОБРАЗОВАНИЕ

Издатель ФГБОУ ВПО "МГТУ им. Н.Э. Баумана". Эл № ФС 77 - 48211.  ISSN 1994-0408

Память ЭВМ и систем

автор: Недашковский В. М.

В идеале память должна быть быстрой, большой и дешевой. Для реализации очень быстрой памяти лучше всего использовать микросхемы SRAM. Однако они довольно дороги, поскольку каждая ячейка такой памяти содержит шесть транзисторов, из-за чего на одной микросхеме невозможно разместить много ячеек. Таким образом, большую память на основе микросхем SRAM (static random access memory – статической памяти с произвольным доступом) нецелесообразно создавать из чисто экономических соображений. Для нее применяются гораздо более дешевые микросхемы динамической RAM (dynamic random access memory) с очень простыми ячейками. Правда, работает такая память медленнее.
Поделиться:
 
ПОИСК
 
elibrary crossref ulrichsweb neicon rusycon
 
ЮБИЛЕИ
ФОТОРЕПОРТАЖИ
 
СОБЫТИЯ
 
НОВОСТНАЯ ЛЕНТА



Авторы
Пресс-релизы
Библиотека
Конференции
Выставки
О проекте
Rambler's Top100
Телефон: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)
  RSS
© 2003-2024 «Наука и образование»
Перепечатка материалов журнала без согласования с редакцией запрещена
 Тел.: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)