НАУКА и ОБРАЗОВАНИЕ

Контакты:

IBM East Europe/Asia

Анна Андрошина

Тел.: +7 (495) 775-8800 #1137

E-mail: Anna.Androshina@ru.ibm.com

    18 августа 2008 г. – Корпорация IBM (NYSE: IBM) и ее партнеры по совместным разработкам – компании AMD, Freescale, STMicroelectronics и Toshiba, а также Колледж научных и прикладных исследований в области нанотехнологий (College of Nanoscale Science and Engineering, CNSE) – сегодня объявили о получении первых в мире действующих элементов памяти типа SRAM (статическая память с произвольным доступом) с технологической нормой 22 нм, которые были изготовлены из 300-мм подложек на исследовательском комплексе в Олбани (штат Нью-Йорк).

    Размер ячеек SRAM определяет размеры более сложных устройств, таких как микропроцессоры.    

    Данная ячейка SRAM имеет обычную конструкцию на основе шести транзисторов и площадь всего 0,1 кв. мкм, что существенно меньше предшествующих ячеек этого типа.

    Этот революционный результат был получен на базе колледжа CNSE при университете штата Нью-Йорк в Олбани, который располагает самым передовым в мире университетским исследовательским комплексом в области наноэлектроники. Корпорация IBM и ее партнеры проводят большую часть своих исследований в области передовых полупроводниковых технологий именно в CNSE.

    Нанометр составляет одну миллиардную часть метра, что примерно в 80000 раз меньше толщины человеческого волоса.

    «В своем стремлении к созданию передовых полупроводниковых технологий следующего поколения мы работаем на пределе возможного, – говорит д-р Т. С. Чен (T.C. Chen), вице-президент подразделения IBM Research по науке и технологиям. – Эта новая разработка является важнейшим достижением на пути дальнейшей миниатюризации микроэлектроники».

    Технологическая норма 22 нм на два поколения опережает современный уровень полупроводникового производства. Следующее поколение чипов будет основано на технологической норме 32 нм. В этом секторе сегодня доминирует корпорация IBM, которая в сотрудничестве со своими партнерами занимается разработками на основе своей передовой технологии «диэлектрик с высоким значением k/металлический затвор». В настоящее время какие-либо другие компании или консорциумы не способны предложить ничего подобного.

    Традиционно повышение плотности чипа SRAM достигается посредством уменьшения размеров его основного компоновочного блока (т.н. ячейки). Специалисты корпорации IBM и ее партнеров оптимизировали конструкцию и схемотехнику ячейки SRAM для повышения ее стабильности, а также разработали несколько новаторских технологических процессов для производства новых ячеек SRAM. Для снижения размеров шаблона и повышения плотности печати применялась иммерсионная литография с высоким значением показателя NA. Компоненты изготавливались из пластин 300 мм на передовом полупроводниковом оборудовании исследовательского назначения.

    Размер ячейки SRAM является ключевой технологической характеристикой в полупроводниковой отрасли, поэтому представленный сегодня результат подтверждает продолжающееся лидерство IBM и ее партнеров в области передовых технологических процессов.

    Ключевые особенности новой ячейки SRAM: структуры типа band edge high-K metal gate stack (на основе диэлектриков с высоким значением k и металлических затворов), транзисторы с длиной затвора менее 25 нм, тонкие разделители, новаторские имплантирующие примеси, передовые методики активации, сверхтонкий силицид и дамаскированные медные контакты.

    Более подробная информация об этом достижении будет представлена на ежегодном техническом семинаре IEEE International Electron Devices (IEDM), который состоится в Сан-Франциско (штат Калифорния) в период с 15 по 17 декабря 2008 г.