Другие журналы

Юлкин Антон Сергеевич

Параметрическая оптимизация электрофизических параметров КНИ МОП-транзистора на основе системы приборно-технологического моделирования
Молодежный научно-технический вестник # 02, февраль 2015
УДК: 621.382
Статья посвящена вопросам оптимизации электрофизических параметров МОП-транзисторов с помощью системы TCAD Synopsys. Сложность проблемы заключается в неприемлемой длительности вычислений в системе TCAD Synopsys, необходимых для проведения процесса оптимизации. Рассмотрена методика двухстадийной оптимизации. Проведена оценка решения задачи оптимизации на одномерной модели. Выполнена оптимизация профиля легирования кармана двухмерной модели КНИ n-канального МОП-транзистора. Рассчитаны выходные статические характеристики моделей основного и паразитного транзисторов, выполненных с учетом полученных параметров режимов технологических операций.
 
ПОИСК
 
elibrary crossref ulrichsweb neicon rusycon
 
ЮБИЛЕИ
ФОТОРЕПОРТАЖИ
 
СОБЫТИЯ
 
НОВОСТНАЯ ЛЕНТА



Авторы
Пресс-релизы
Библиотека
Конференции
Выставки
О проекте
Rambler's Top100
Телефон: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)
  RSS
© 2003-2020 «Наука и образование»
Перепечатка материалов журнала без согласования с редакцией запрещена
 Тел.: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)