Чистяков Михаил Геннадьевич

В работе приведено исследование воздействия специальных факторов на транзисторы, изготовленные по технологии на монолитном кремнии и технологии кремний на изоляторе. Исходя из исследования для обеспечения стойкости к специальным воздействующим факторам целесообразно использовать технологию изготовления КНИ транзисторов Далее приведён анализ существующих типов транзисторов, используемых при построении микросхем по технологии кремний на изоляторе. На основе сравнительного анализа топологических конструкционных решений транзисторов для технологии КНИ была разработана топологическая конструкция модифицированного Н-типа транзистора, обеспечивающих стойкость к специальным воздействующим факторам, для элементов центральной части СБИС.