Дмитриев В. Г.

Разрабатываемая установка предназначена контроля качества, анализ дефектности и модификации наноразмерных диэлектрических слоев в нано- и микроэлектронике, микросистемной технике, проведение фундаментальных исследований процессов, протекающих в тонких плёнках диэлектриков.В работе установка использует метод управ­ляемой токовой нагрузки, основанный на анализе временной зависимости напряжения на полупроводниковом приборе со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-приборе) при подаче на него токового воздействия. Данный метод позволяет производить контроль дефектности изоляции и дефектности зарядовой стабильности без перекоммутации образца.