Другие журналы

Зотов С К

3D- моделирование электрических характеристик КНИ МОП- транзисторов О- типа c субмикронными размерами областей
Молодежный научно-технический вестник # 10, октябрь 2012
УДК: 00
Работа посвящена трехмерному моделированию электрических характеристик КНИ МОП-транзисторов О-типа с использованием новой методики построения сетки в системе TCAD, которая основана на использовании стандартных средств генерации сетки системы TCAD и предлагаемых алгоритмов выделения областей разбиения с использованием топологических масок и выделения областей p-n-перехода при построении трехмерной сетки.
77-48211/479515 Особенности применения системы технологического моделирования TCAD
Инженерный вестник # 09, сентябрь 2012
Согласно закону Мура, каждые два года количество транзисторов интегральной микросхемы удваивается, а размеры самих транзисторов уменьшаются. В результате увеличивается сложность проектируемых микросхем и ужесточаются требования к контролю технологических параметров их производства. В работе анализируются особенности применения системы технологического моделирования TCAD (Technology Computer Aided Design).
 
ПОИСК
 
elibrary crossref ulrichsweb neicon rusycon
 
ЮБИЛЕИ
ФОТОРЕПОРТАЖИ
 
СОБЫТИЯ
 
НОВОСТНАЯ ЛЕНТА



Авторы
Пресс-релизы
Библиотека
Конференции
Выставки
О проекте
Rambler's Top100
Телефон: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)
  RSS
© 2003-2020 «Наука и образование»
Перепечатка материалов журнала без согласования с редакцией запрещена
 Тел.: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)