Зотов С К

Работа посвящена трехмерному моделированию электрических характеристик КНИ МОП-транзисторов О-типа с использованием новой методики построения сетки в системе TCAD, которая основана на использовании стандартных средств генерации сетки системы TCAD и предлагаемых алгоритмов выделения областей разбиения с использованием топологических масок и выделения областей p-n-перехода при построении трехмерной сетки.

Согласно закону Мура, каждые два года количество транзисторов интегральной микросхемы удваивается, а размеры самих транзисторов уменьшаются. В результате увеличивается сложность проектируемых микросхем и ужесточаются требования к контролю технологических параметров их производства. В работе анализируются особенности применения системы технологического моделирования TCAD (Technology Computer Aided Design).