Марченков Алексей Николаевич

В работе было выполнено численное моделирование рабочей частоты и потребляемой мощности мемристоров, изготовленных на основе оксида титана. Для исследования использовалась модель мемристора в виде двух последовательных резисторов, сопротивление которых зависит от положения границы раздела между слоями мемристора с избытком/недостатком кислорода. Впервые помимо исследования частотных характеристик мемристора был проведен анализ зависимости мощностных характеристик мемристора от его структурных параметров. Показано, что значительное увеличение рабочей частоты мемристора происходит при уменьшении толщины активного слоя и общей толщины мемристора, что сопровождается увеличением потребляемой мощности мемристора. На основе полученных данных определены оптимальные значения толщины активного слоя и общей толщины мемристора.