Другие журналы

Занавескин Максим Леонидович

Перспективные структуры с эффектом памяти, созданные на основе неорганических материалов
Инженерное образование # 12, декабрь 2013
DOI: 10.7463/1213.0669629
В настоящее время многие научные коллективы в области микроэлектроники ведут разработки технологии создания мемристора, а также возможности его интеграции в существующую КМОП-технологию. В результате исследований были установлены основные классы материалов с эффектом памяти такие как: оксиды металлов, твердые электролиты, халькогениды, полимеры и пр. Все эти классы материалов обладают свойством переключения сопротивления, но механизмы, за счет которых это переключение достигается, различаются. В литературе представлены элементы разной степени исследования, однако для ряда материалов удалось добиться стабильного мемристивного эффекта, получить на их основе устойчивый к переключению элемент и разработать для него модель функционирования. В данной статье представлен обзор таких структур с эффектом памяти на основе неорганических материалов, проведен анализ их характеристик и возможных вариантов их применения.
Моделирование частотных и мощностных характеристик мемристора на основе оксида титана
Инженерное образование # 05, май 2012
DOI: 10.7463/0512.0409216
В работе было выполнено численное моделирование рабочей частоты и потребляемой мощности мемристоров, изготовленных на основе оксида титана. Для исследования использовалась модель мемристора в виде двух последовательных резисторов, сопротивление которых зависит от положения границы раздела между слоями мемристора с избытком/недостатком кислорода. Впервые помимо исследования частотных характеристик мемристора был проведен анализ зависимости мощностных характеристик мемристора от его структурных параметров. Показано, что значительное увеличение рабочей частоты мемристора происходит при уменьшении толщины активного слоя и общей толщины мемристора, что сопровождается увеличением потребляемой мощности мемристора. На основе полученных данных определены оптимальные значения толщины активного слоя и общей толщины мемристора.
 
ПОИСК
 
elibrary crossref ulrichsweb neicon rusycon
 
ЮБИЛЕИ
ФОТОРЕПОРТАЖИ
 
СОБЫТИЯ
 
НОВОСТНАЯ ЛЕНТА



Авторы
Пресс-релизы
Библиотека
Конференции
Выставки
О проекте
Rambler's Top100
Телефон: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)
  RSS
© 2003-2024 «Наука и образование»
Перепечатка материалов журнала без согласования с редакцией запрещена
 Тел.: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)