Другие журналы
|
Столяров Александр Алексеевич
Анализ технологических процессов формирования межтранзисторной изоляции
Молодежный научно-технический вестник # 10, октябрь 2012 УДК: 004 В работе рассмотрены технологические решения формирования межтранзисторной изоляции для субмикронных СБИС, модели для расчета результатов операции ХМП в стандартном STI- процессе, а также проведен анализ мелкощелевой изоляции ( STI ), с точки зрения моделирования операции ХМП, в которой планаризация завершается до достижения защитного слоя транзисторных областей.
77-30569/251437 Исследование процессов генерации и эволюции центров захвата носителей в диэлектрических плёнках МДП-структур
Инженерное образование # 11, ноябрь 2011 Разработана модель, описывающая процессы образования и эволюции центров захвата носителей в инжекционно модифицированных многослойных наноразмерных диэлектрических слоях МДП-структур в режиме сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик постоянным током. Определены параметры модели, характеризующие процессы изменения зарядового состояния МДП-структур с термической плёнкой SiO2, пассивированной слоем ФСС, а также МДП-структур Si-SiO2-поликристаллический кремний (Si-SiO2-Si*), в условиях управляемой сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик. Проведено сравнение данных моделирования с экспериментальными данными.
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|