Шашурин Василий Дмитриевич

Разработана методика исследования изменения вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов под действием деградационных процессов в его структуре. Исследование деградации структуры резонансно-туннельных диодов на основе наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктур проводилось при температуре 300 °C. Выявлено, что в данных условиях изменение вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов вызвано преимущественно деградацией омических контактов. Определена аналитическая зависимость контактного сопротивления AuGeNi омических контактов резонансно-туннельных диодов от времени и температуры.

В статье приводятся результаты количественной оценки параметров процессов, протекающих в материалах деталей, подверженных кавитационно-абразивному воздействию при эксплуатации в агрессивных жидких средах. Авторами предлагается алгоритм оценки напряженно-деформированного состояния материалов элементов технических систем при воздействии на них абразивных частиц и микрогидроструй, возникающих вследствие схлопывания кавитационных полостей. Для описания физической картины процесса выдвигается несколько гипотез, обоснованность которых подтверждается в ходе статьи. На основании предложенного алгоритма, с использованием программных средств выполнены оценочные расчеты существенных параметров, позволяющих судить о напряженно-деформированном состоянии ряда материалов. Результаты проведенных расчетов представлены в виде функциональных зависимостей.

 Приведены исследования закономерностей формирования постепенных отказов СВЧ смесителей радиосигналов на резонансно-туннельных диодах. Выявлены управляемые параметры для их конструкторско-технологической оптимизации по критерию надежности. Установлено, что возможность повышения надежности смесителей радиосигналов лежит в оптимизации характеристик резонансно-туннельной структуры нанодиода. 

Для определения управляемых параметров для конструкторско-технологической оптимизации СВЧ смесителей радиосигналов на резонансно-туннельных диодах по критерию их надежности , проведены исследования закономерностей формирования их постепенных отказов. Установлено, что возможность повышения надежности таких смесителей радиосигналов лежит в оптимизации характеристик резонансно-туннельной структуры нанодиода.